CVD Бөөнөөр цахиурын карбид (SiC)
Тойм:Зүрх судасны өвчиних хэмжээний цахиурын карбид (SiC)нь плазмын сийлбэрийн тоног төхөөрөмж, хурдан дулааны боловсруулалт (RTP) болон бусад хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн процессуудад маш их эрэлттэй материал юм. Түүний онцгой механик, химийн болон дулааны шинж чанарууд нь өндөр нарийвчлал, бат бөх чанар шаарддаг дэвшилтэт технологийн хэрэглээнд тохиромжтой материал болгодог.
CVD Bulk SiC-ийн хэрэглээ:Бөөнөөр нь SiC нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд, ялангуяа плазмын сийлбэрийн системд чухал үүрэг гүйцэтгэдэг бөгөөд фокусын цагираг, хийн шүршүүрийн толгой, ирмэгийн цагираг, хавтан зэрэг бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь SiC-ийн зэврэлтээс хамгаалах чадвар болон дулаан дамжуулалтаас ашиг хүртдэг. Үүний хэрэглээ нь ... хүртэл үргэлжилдэг.RTPSiC нь мэдэгдэхүйц доройтолгүйгээр температурын огцом хэлбэлзлийг тэсвэрлэх чадвартай холбоотой системүүд.
Сийлбэрийн тоног төхөөрөмжөөс гадна CVDих хэмжээний SiCөндөр дулааны тогтвортой байдал болон хатуу химийн орчинд тэсвэртэй байх шаардлагатай диффузийн зуух болон талст ургалтын процесст илүү тохиромжтой. Эдгээр шинж чанарууд нь SiC-ийг хлор, фтор агуулсан зэрэг өндөр температур болон идэмхий хийтэй холбоотой өндөр эрэлт хэрэгцээтэй хэрэглээнд сонгох материал болгодог.
CVD бөөнөөр нь нийлүүлдэг SiC бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн давуу талууд:
•Өндөр нягтрал:3.2 г/см³ нягтралтай,Зүрх судасны их хэмжээний SiCэд ангиуд нь элэгдэлд болон механик стрессд маш тэсвэртэй байдаг.
•Дулаан дамжуулах чанар өндөр:300 Вт/м·К дулаан дамжуулах чадвартай, их хэмжээний SiC нь дулааныг үр ашигтайгаар удирддаг тул хэт халууны мөчлөгт өртдөг эд ангиудад тохиромжтой.
•Онцгой химийн эсэргүүцэл:Хлор болон фтор дээр суурилсан химийн бодисууд зэрэг сийлбэр хийнүүдтэй SiC-ийн урвалд орох чадвар багатай тул бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн ашиглалтын хугацааг уртасгадаг.
•Тохируулж болох эсэргүүцэл: Зүрх судасны их хэмжээний SiC-үүдЭсэргүүцлийг 10⁻²–10⁴ Ω-см-ийн хүрээнд өөрчилж болох бөгөөд энэ нь сийлбэр болон хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн тодорхой хэрэгцээнд тохируулан өөрчлөх боломжтой болгодог.
•Дулааны тэлэлтийн коэффициент:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) дулааны тэлэлтийн коэффициенттэй CVD их хэмжээний SiC нь дулааны цочролыг тэсвэрлэж, хурдан халаах, хөргөх мөчлөгийн үед ч хэмжээст тогтвортой байдлаа хадгалдаг.
•Плазмын бат бөх чанар:Хагас дамжуулагчийн процесст плазм болон реактив хийд өртөх нь зайлшгүй боловчЗүрх судасны их хэмжээний SiCзэврэлт болон задралд илүү сайн тэсвэртэй, солих давтамж болон нийт засвар үйлчилгээний зардлыг бууруулдаг.
Техникийн үзүүлэлтүүд:
•Диаметр:305 мм-ээс их
•Эсэргүүцэл:10⁻²–10⁴ Ω-см дотор тохируулж болно
•Нягтрал:3.2 г/см³
•Дулаан дамжуулалт:300 Вт/м·К
•Дулааны тэлэлтийн коэффициент:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Тохируулга ба уян хатан байдал:ДээрСемицера хагас дамжуулагч, хагас дамжуулагчийн хэрэглээ бүр өөр өөр үзүүлэлт шаарддаг болохыг бид ойлгож байна. Тийм ч учраас манай CVD бөөн SiC бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг бүрэн өөрчлөх боломжтой бөгөөд эсэргүүцлийг тохируулж, таны тоног төхөөрөмжийн хэрэгцээнд нийцүүлэн тохируулсан хэмжээсүүдтэй. Та плазмын сийлбэрийн системээ оновчтой болгож байгаа эсвэл RTP эсвэл диффузийн процесст бат бөх бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг хайж байгаа эсэхээс үл хамааран манай CVD бөөн SiC нь хосгүй гүйцэтгэлийг өгдөг.
