CVD TaC бүрхүүлийн танилцуулга:
CVD TaC бүрхүүл нь химийн уурын тунадасжуулалтыг ашиглан тантал карбид (TaC) бүрхүүлийг суурь материалын гадаргуу дээр хуримтлуулдаг технологи юм. Тантал карбид нь маш сайн механик болон химийн шинж чанартай өндөр хүчин чадалтай керамик материал юм. CVD процесс нь хийн урвалаар суурь материалын гадаргуу дээр жигд TaC хальс үүсгэдэг.
Үндсэн онцлогууд:
Маш сайн хатуулаг ба элэгдэлд тэсвэртэйТантал карбид нь маш өндөр хатуулагтай бөгөөд CVD TaC бүрхүүл нь суурийн элэгдэлд тэсвэртэй байдлыг мэдэгдэхүйц сайжруулж чаддаг. Энэ нь бүрхүүлийг зүсэх багаж хэрэгсэл, хэв зэрэг элэгдэлд тэсвэртэй орчинд хэрэглэхэд тохиромжтой болгодог.
Өндөр температурын тогтвортой байдалTaC бүрхүүл нь зуух болон реакторын чухал бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг 2200°C хүртэлх температурт хамгаалж, сайн тогтвортой байдлыг харуулдаг. Энэ нь хэт өндөр температурын нөхцөлд химийн болон механик тогтвортой байдлыг хадгалдаг тул өндөр температурт боловсруулалт болон өндөр температурт ашиглахад тохиромжтой.
Маш сайн химийн тогтвортой байдалТантал карбид нь ихэнх хүчил ба шүлтэд зэврэлтэнд тэсвэртэй бөгөөд CVD TaC бүрхүүл нь зэврэлттэй орчинд суурь гэмтлээс үр дүнтэй урьдчилан сэргийлж чаддаг.
Өндөр хайлах цэгТантал карбид нь өндөр хайлах цэгтэй (ойролцоогоор 3880°C) тул CVD TaC бүрхүүлийг хэт өндөр температурын нөхцөлд хайлах эсвэл задрахгүйгээр ашиглах боломжтой.
Маш сайн дулаан дамжуулалтTaC бүрхүүл нь өндөр дулаан дамжуулалттай тул өндөр температурын процесст дулааныг үр дүнтэй тарааж, орон нутгийн хэт халалтаас урьдчилан сэргийлэхэд тусалдаг.
Боломжит хэрэглээнүүд:
• Галлийн нитрид (GaN) болон цахиурын карбидын эпитаксиаль CVD реакторын бүрэлдэхүүн хэсгүүд, үүнд вафли тээгч, хиймэл дагуулын антенн, шүршүүрийн толгой, тааз болон суспенз орно.
• Цахиурын карбид, галлийн нитрид болон хөнгөн цагаан нитрид (AlN)-ийн талстын өсөлтийн бүрэлдэхүүн хэсгүүд, үүнд тигель, үрийн сав, чиглүүлэгч цагираг болон шүүлтүүр орно
• Эсэргүүцлийн халаалтын элементүүд, шахах хошуу, масклах цагираг болон гагнуурын жийп зэрэг үйлдвэрлэлийн эд ангиуд
Аппликейшний онцлогууд:
• 2000°C-аас дээш температурт тогтвортой, хэт өндөр температурт ажиллах боломжийг олгодог
• Устөрөгч (Hz), аммиак (NH3), моносилан (SiH4) болон цахиур (Si)-д тэсвэртэй, хатуу химийн орчинд хамгаалалт өгдөг
• Дулааны цохилтод тэсвэртэй байдал нь ажиллах циклийг илүү хурдан болгодог
• Графит нь хүчтэй наалддаг тул удаан эдэлгээтэй бөгөөд бүрхүүлийн хальслахгүй.
• Шаардлагагүй хольц болон бохирдуулагчийг арилгах хэт өндөр цэвэршилттэй
• Хатуу хэмжээст хүлцэлд конформал бүрхүүл
Техникийн үзүүлэлтүүд:
CVD-ээр өтгөн тантал карбидын бүрхүүл бэлтгэх：
Өндөр талстлаг болон маш сайн жигд байдалтай TAC бүрхүүл:
CVD TAC бүрхүүлийн техникийн параметрүүд_Semicera:
| TaC бүрхүүлийн физик шинж чанарууд | |
| Нягтрал | 14.3 (г/см³) |
| Бөөнөөр нь төвлөрүүлэх | 8 x 1015/см |
| Тодорхой ялгаралт | 0.3 |
| Дулааны тэлэлтийн коэффициент | 6.3 10-6/K |
| Хатуулаг (HK) | 2000 он Хонконг |
| Бөөнөөр эсэргүүцэх чадвар | 4.5 ом-см |
| Эсэргүүцэл | 1x10-5Ом*см |
| Дулааны тогтвортой байдал | <2500℃ |
| Хөдөлгөөнт байдал | 237 см2/Vs |
| Графитын хэмжээний өөрчлөлт | -10~-20мм |
| Бүрхүүлийн зузаан | ≥20 мкм ердийн утга (35 мкм+10 мкм) |
Дээрх нь ердийн утгууд юм.
