Атомын давхаргын хуримтлал (ALD) нь хоёр буюу түүнээс дээш прекурсор молекулыг ээлжлэн шахах замаар нимгэн хальсыг давхаргаар нь ургуулдаг химийн уурын хуримтлуулах технологи юм. ALD нь өндөр хяналттай, жигд байх давуу талтай бөгөөд хагас дамжуулагч төхөөрөмж, оптоэлектроник төхөөрөмж, эрчим хүч хадгалах төхөөрөмж болон бусад салбарт өргөн хэрэглэгддэг. ALD-ийн үндсэн зарчмууд нь прекурсорын шингээлт, гадаргуугийн урвал, дайвар бүтээгдэхүүнийг зайлуулах зэрэг багтдаг бөгөөд эдгээр алхмуудыг мөчлөгт давтах замаар олон давхаргат материалыг бий болгож болно. ALD нь өндөр хяналттай, жигд, сүвэрхэг бус бүтэцтэй шинж чанар, давуу талтай бөгөөд төрөл бүрийн субстратын материал, төрөл бүрийн материалыг тунаахад ашиглаж болно.
ALD нь дараахь шинж чанар, давуу талуудтай.
1. Өндөр хяналт:ALD нь давхаргын өсөлтийн процесс тул материалын давхарга бүрийн зузаан, найрлагыг нарийн хянах боломжтой.
2. Нэгдмэл байдал:ALD нь материалыг бүх субстратын гадаргуу дээр жигд байрлуулж, бусад хуримтлуулах технологид үүсэх тэгш бус байдлаас зайлсхийх боломжтой.
3. Сүвэрхэг бус бүтэц:ALD нь нэг атом эсвэл нэг молекулын нэгжид хуримтлагддаг тул үүссэн хальс нь ихэвчлэн нягт, сүвэрхэг бус бүтэцтэй байдаг.
4. Хамрах хүрээ сайн:ALD нь нанопор массив, өндөр сүвэрхэг материал гэх мэт өндөр харьцаатай бүтцийг үр дүнтэй хамарч чаддаг.
5. Өргөтгөх чадвар:ALD нь метал, хагас дамжуулагч, шил гэх мэт янз бүрийн субстратын материалд ашиглагдаж болно.
6. Олон талт байдал:Төрөл бүрийн прекурсор молекулуудыг сонгосноор ALD процесст металлын исэл, сульфид, нитрид гэх мэт төрөл бүрийн материалыг хуримтлуулж болно.
