Исэлдэлтийн эсрэг өндөр цэвэршилттэй SiC бүрсэн MOCVD тавиур

Богино тайлбар:

Semicera Energy Technology Co., Ltd нь вафель болон дэвшилтэт хагас дамжуулагч хэрэглээний материалын чиглэлээр мэргэшсэн тэргүүлэгч нийлүүлэгч юм.Бид хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд өндөр чанартай, найдвартай, шинэлэг бүтээгдэхүүн нийлүүлэх зорилготой.фотоволтайк үйлдвэрболон бусад холбогдох салбарууд.

Манай бүтээгдэхүүний шугамд цахиурын карбид, цахиурын нитрид, хөнгөн цагаан исэл гэх мэт төрөл бүрийн материалыг багтаасан SiC/TaC бүрсэн бал чулуун бүтээгдэхүүн, керамик бүтээгдэхүүн орно.

Итгэмжлэгдсэн ханган нийлүүлэгчийн хувьд бид үйлдвэрлэлийн явцад хэрэглээний материалын ач холбогдлыг ойлгож, үйлчлүүлэгчдийнхээ хэрэгцээг хангахын тулд чанарын өндөр стандартад нийцсэн бүтээгдэхүүнийг хүргэхийг эрмэлздэг.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Тодорхойлолт

Манай компани хангадагSiC бүрэхграфит, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар боловсруулалт хийх, ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр хуримтлагдсан өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулуудыг гаргаж авах.SiC хамгаалалтын давхарга.

Үндсэн шинж чанарууд

1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:
1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.
2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.
3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.

CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд

SiC-CVD шинж чанарууд
Кристал бүтэц	FCC β үе шат
Нягт	г/см³	3.21
Хатуу байдал	Викерсийн хатуулаг	2500
Үр тарианы хэмжээ	мкм	2~10
Химийн цэвэр байдал	%	99.99995
Дулааны багтаамж	Ж·кг-1 ·К-1	640
Сублимацийн температур	℃	2700
Уян эрхтний хүч	МПа (RT 4 оноо)	415
Young's modulus	Gpa (4pt нугалах, 1300℃)	430
Дулааны тэлэлт (CTE)	10-6К-1	4.5
Дулаан дамжилтын илтгэлцүүр	(Вт/мК)	300