-
Тантал карбид гэж юу вэ?
Тантал карбид (TaC) нь TaC x химийн томьёотой тантал ба нүүрстөрөгчийн хоёртын нэгдэл бөгөөд x нь ихэвчлэн 0.4-1-ийн хооронд хэлбэлздэг. Эдгээр нь металл дамжуулалттай, маш хатуу, хэврэг, галд тэсвэртэй керамик материал юм. Тэдгээр нь бор саарал нунтаг бөгөөд бид...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
тантал карбид гэж юу вэ
Тантал карбид (TaC) нь өндөр температурт тэсвэртэй, өндөр нягтралтай, өндөр нягтралтай, хэт өндөр температурт керамик материал юм; өндөр цэвэршилттэй, хольцын агууламж <5PPM; өндөр температурт аммиак ба устөрөгчийн химийн идэвхгүй байдал, дулааны тогтвортой байдал. Хэт өндөр гэж нэрлэгддэг ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Эпитакси гэж юу вэ?
Ихэнх инженерүүд хагас дамжуулагч төхөөрөмж үйлдвэрлэхэд чухал үүрэг гүйцэтгэдэг эпитаксийг сайн мэддэггүй. Эпитакси нь янз бүрийн чиптэй бүтээгдэхүүнд ашиглагдаж болох ба өөр өөр бүтээгдэхүүнд Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy гэх мэт өөр өөр төрлийн эпитакс байдаг.Эпитакси гэж юу вэ?Эпитакси нь...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SiC-ийн чухал үзүүлэлтүүд юу вэ?
Цахиурын карбид (SiC) нь өндөр хүчин чадал, өндөр давтамжийн электрон төхөөрөмжид өргөн хэрэглэгддэг өргөн зурвасын чухал хагас дамжуулагч материал юм. Дараах нь цахиурын карбидын хавтанцарын үндсэн параметрүүд ба тэдгээрийн дэлгэрэнгүй тайлбар юм: Торны параметрүүд: ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Нэг болор цахиурыг яагаад өнхрүүлэх шаардлагатай вэ?
Өнхрөх гэдэг нь цахиурын дан болор бариулын гадна диаметрийг алмаазан нунтаглагч дугуй ашиглан шаардлагатай диаметртэй нэг болор саваа болгон нунтаглах, нэг болор бариулын хавтгай ирмэгийн жишиг гадаргуу эсвэл байрлалын ховилыг нунтаглах үйл явцыг хэлнэ. Гаднах диаметртэй гадаргуу нь...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Өндөр чанарын SiC нунтаг үйлдвэрлэх үйл явц
Цахиурын карбид (SiC) нь онцгой шинж чанараараа алдартай органик бус нэгдэл юм. Моиссанит гэж нэрлэгддэг байгалийн гаралтай SiC нь маш ховор байдаг. Үйлдвэрлэлийн хэрэглээнд цахиурын карбидыг ихэвчлэн синтетик аргаар үйлдвэрлэдэг. Semicera Semiconductor-д бид дэвшилтэт техникийг ашигладаг...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Кристалыг татах үед цацрагийн эсэргүүцлийн жигд байдлыг хянах
Нэг талстуудын радиаль эсэргүүцлийн жигд байдалд нөлөөлж буй гол шалтгаан нь хатуу-шингэний интерфейсийн тэгш байдал ба болор өсөлтийн үед жижиг хавтгай нөлөө юм. , нь...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Соронзон талбайн нэг болор зуух яагаад нэг талст чанарыг сайжруулж чадах вэ?
Тигель нь сав болгон ашиглагддаг ба дотор нь конвекц байдаг тул үүссэн дан болорын хэмжээ ихсэх тусам дулааны конвекц болон температурын градиентийн жигд байдлыг хянахад хэцүү болдог. Соронзон орон нэмснээр дамжуулагч хайлмал нь Лоренцын хүчээр үйлчилдэг тул конвекц ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Сублимацийн аргаар CVD-SiC бөөн эх үүсвэрийг ашиглан SiC дан талстуудын хурдацтай өсөлт
Сублимацийн аргаар CVD-SiC бөөн эх үүсвэрийг ашиглан SiC дан болор хурдацтай өсөх Дахин боловсруулсан CVD-SiC блокуудыг SiC эх үүсвэр болгон ашигласнаар SiC талстыг PVT аргаар 1.46 мм/ц хурдтай амжилттай ургуулсан. Өсөн нэмэгдэж буй болорын бичил хоолой болон мултрах нягтрал нь де...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Цахиурын карбидын эпитаксиаль өсөлтийн төхөөрөмжийн оновчтой, орчуулсан контент
Цахиурын карбидын (SiC) субстратууд нь шууд боловсруулалт хийхээс сэргийлдэг олон тооны согогуудтай байдаг. Чиптэй вафель үүсгэхийн тулд тусгай нэг талст хальсыг SiC субстрат дээр эпитаксиаль процессоор ургуулсан байх ёстой. Энэ хальсыг эпитаксиаль давхарга гэж нэрлэдэг. Бараг бүх SiC төхөөрөмжүүд нь эпитаксиаль дээр хийгддэг ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд SiC бүрсэн графит шингээгчийн чухал үүрэг ба хэрэглээний тохиолдлууд
Semicera Semiconductor нь дэлхийн хэмжээнд хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн тоног төхөөрөмжийн үндсэн эд ангиудын үйлдвэрлэлийг нэмэгдүүлэхээр төлөвлөж байна. 2027 он гэхэд нийт 70 сая ам.долларын хөрөнгө оруулалтаар 20 мянган ам метр талбай бүхий шинэ үйлдвэр байгуулах зорилт тавин ажиллаж байна. Манай үндсэн бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн нэг болох цахиурын карбид (SiC) хавтанцар...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Бид яагаад цахиур хавтан дээр эпитакси хийх хэрэгтэй байна вэ?
Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн гинжин хэлхээнд, ялангуяа гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч (өргөн зурвасын хагас дамжуулагч) үйлдвэрлэлийн гинжин хэлхээнд субстрат ба эпитаксиаль давхаргууд байдаг. Эпитаксиаль давхарга ямар ач холбогдолтой вэ? Субстрат ба субстрат хоёрын хооронд ямар ялгаа байдаг вэ? Дэд хэсэг...Дэлгэрэнгүй уншина уу