-
Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн процесс – Etch технологи
Өргөст цаасыг хагас дамжуулагч болгохын тулд олон зуун процесс шаардлагатай. Хамгийн чухал үйл явцын нэг бол сийлбэр, өөрөөр хэлбэл өрөм дээр нарийн хэлхээний хэв маягийг сийлбэрлэх явдал юм. Сийлбэрийн үйл явцын амжилт нь тогтоосон тархалтын хүрээнд янз бүрийн хувьсагчдыг удирдахаас хамаардаг ба сийлбэр бүр...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Плазмын сийлбэр хийх төхөөрөмжид фокус цагираг хийхэд тохиромжтой материал: Цахиурын карбид (SiC)
Плазмын сийлбэр хийх төхөөрөмжид керамик эд ангиуд нь голлох цагираг зэрэг чухал үүрэг гүйцэтгэдэг. Өрөөний эргэн тойронд байрлуулсан бөгөөд түүнтэй шууд харьцдаг фокусын цагираг нь цагирагт хүчдэл өгөх замаар плазмыг вафель дээр төвлөрүүлэхэд зайлшгүй шаардлагатай. Энэ нь un...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Цахиурын карбидын дан болор боловсруулалтын өрөвсний гадаргуугийн чанарт үзүүлэх нөлөө
Хагас дамжуулагч цахилгаан төхөөрөмжүүд нь эрчим хүчний электрон системд гол байр суурийг эзэлдэг, ялангуяа хиймэл оюун ухаан, 5G харилцаа холбоо, шинэ эрчим хүчний тээврийн хэрэгсэл зэрэг технологийн хурдацтай хөгжлийн нөхцөлд тэдгээрийн гүйцэтгэлийн шаардлагыг ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SiC өсөлтийн гол материал: Тантал карбидын бүрээс
Одоогийн байдлаар хагас дамжуулагчийн гурав дахь үе нь цахиурын карбид давамгайлж байна. Түүний төхөөрөмжүүдийн зардлын бүтцэд субстрат нь 47%, эпитакси нь 23% -ийг эзэлдэг. Энэ хоёр нь нийлээд 70 орчим хувийг эзэлдэг бөгөөд энэ нь цахиурын карбидын төхөөрөмжийн үйлдвэрлэлийн хамгийн чухал хэсэг юм...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Тантал карбидаар бүрсэн бүтээгдэхүүн нь материалын зэврэлтээс хамгаалах чадварыг хэрхэн нэмэгдүүлдэг вэ?
Тантал карбидын бүрээс нь материалын зэврэлтээс хамгаалах чадварыг эрс сайжруулдаг өргөн хэрэглэгддэг гадаргуу боловсруулах технологи юм. Тантал карбидын бүрээсийг субстратын гадаргуу дээр химийн уурын хуримтлал, физик...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Өчигдөр Шинжлэх ухаан, технологийн инновацийн зөвлөлөөс Huazhuo Precision Technology IPO-оо цуцалсан тухай зарлалаа!
Дөнгөж сая Хятадад анхны 8 инчийн SIC лазер зөөлрүүлэх төхөөрөмжийг нийлүүлж байгаагаа зарласан бөгөөд энэ нь мөн Цинхуагийн технологи юм; Яагаад өөрсдөө материалаа татсан юм бэ? Хэдхэн үг: Нэгдүгээрт, бүтээгдэхүүн нь хэтэрхий олон янз байна! Эхлээд харахад тэд юу хийдэгийг мэдэхгүй байна. Одоогоор Х...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
CVD цахиурын карбидын бүрээс-2
CVD цахиурын карбидын бүрээс 1. Яагаад цахиурын карбидын бүрээс байдаг вэ Эпитаксиаль давхарга нь эпитаксиаль процессоор дамжсан хавтангийн үндсэн дээр ургасан өвөрмөц нэг талст нимгэн хальс юм. Субстратын нимгэн хальс ба эпитаксиаль нимгэн хальсыг хамтад нь эпитаксиаль хавтан гэж нэрлэдэг. Тэдгээрийн дотроос...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SIC бүрэх бэлтгэх үйл явц
Одоогийн байдлаар SiC бүрэх бэлтгэх аргад голчлон гель-зол арга, цутгах арга, сойз бүрэх арга, плазмаар шүрших арга, химийн уурын урвалын арга (CVR), химийн уурын хуримтлуулах арга (CVD) орно. Суулгах аргаЭнэ арга нь нэг төрлийн өндөр температурт хатуу фазын ...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
CVD Цахиурын карбидын бүрээс-1
CVD SiC гэж юу вэ Химийн уурын хуримтлал (CVD) нь өндөр цэвэршилттэй хатуу материалыг үйлдвэрлэхэд ашигладаг вакуум хуримтлуулах процесс юм. Энэ процессыг ихэвчлэн хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн талбарт вафель гадаргуу дээр нимгэн хальс үүсгэхэд ашигладаг. CVD-ээр SiC-ийг бэлтгэх явцад субстрат нь эксп...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
Рентген туяаны топологийн дүрслэлийн тусламжтайгаар туяа хянах симуляци ашиглан SiC талст дахь дислокацын бүтцийн шинжилгээ
Судалгааны үндэслэл Цахиур карбидын (SiC) хэрэглээний ач холбогдол: Өргөн хүрээтэй хагас дамжуулагч материалын хувьд цахиур карбид нь маш сайн цахилгаан шинж чанараараа (илүү том зурвасын зай, электроны ханалтын хурд, дулаан дамжуулалт зэрэг) олны анхаарлыг татсаар ирсэн. Эдгээр тулгуур...Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SiC дан талст ургалт дахь үрийн талст бэлтгэх үйл явц 3
Өсөлтийн баталгаажуулалт Цахиурын карбидын (SiC) үрийн талстыг тодорхойлсон процессын дагуу бэлтгэж, SiC талст өсөлтөөр баталгаажуулсан. Ашигласан өсөлтийн платформ нь 2200℃ өсөлтийн температур, 200 Па өсөлтийн даралттай, өөрөө боловсруулсан SiC индукцийн өсөлтийн зуух байсан.Дэлгэрэнгүй уншина уу -
SiC нэг талст ургалт дахь үрийн талст бэлтгэх үйл явц (2-р хэсэг)
2. Туршилтын үйл явц 2.1 Наалдамхай хальсыг хатууруулах Цавуугаар бүрсэн SiC хавтан дээр шууд нүүрстөрөгчийн хальс үүсгэх эсвэл бал цаасаар наалдах нь хэд хэдэн асуудалд хүргэсэн нь ажиглагдсан: 1. Вакуум нөхцөлд SiC хавтан дээрх наалдамхай хальс нь масштабтай харагдах болсон. гарын үсэг зурах ...Дэлгэрэнгүй уншина уу