Тодорхойлолт
Semicorex-ийн MOCVD (метал-органик химийн уурын хуримтлал)-д зориулсан SiC ваферийн соруулагчийг эпитаксиаль хуримтлуулах үйл явцын нарийн шаардлагад нийцүүлэн зохион бүтээсэн. Өндөр чанартай цахиурын карбидыг (SiC) ашиглан эдгээр мэдрэгчүүд нь өндөр температур, идэмхий орчинд хосгүй бат бөх, гүйцэтгэлийг санал болгож, хагас дамжуулагч материалын нарийн бөгөөд үр ашигтай өсөлтийг баталгаажуулдаг.
Гол онцлогууд:
1. Материалын дээд зэргийн шинж чанарӨндөр зэрэглэлийн SiC-ээр бүтээгдсэн манай өргүүрийн мэдрэгч нь онцгой дулаан дамжуулалт болон химийн эсэргүүцлийг харуулдаг. Эдгээр шинж чанарууд нь өндөр температур, идэмхий хий зэрэг MOCVD үйл явцын эрс тэс нөхцөлийг тэсвэрлэх боломжийг олгодог бөгөөд урт наслалт, найдвартай ажиллагааг хангадаг.
2. Эпитаксиаль хуримтлал дахь нарийвчлалМанай SiC Wafer Susceptors-ийн нарийн инженерчлэл нь хавтанцар гадаргуу дээр жигд температурын хуваарилалтыг хангаж, эпитаксиаль давхаргын тогтвортой, өндөр чанартай өсөлтийг хөнгөвчилдөг. Энэ нарийвчлал нь оновчтой цахилгаан шинж чанартай хагас дамжуулагчийг үйлдвэрлэхэд маш чухал юм.
3. Бат бөх чанарыг сайжруулсанБат бөх SiC материал нь хатуу ширүүн үйл явцын орчинд тасралтгүй өртсөн ч элэгдэл, доройтлыг маш сайн эсэргүүцдэг. Энэхүү бат бөх чанар нь мэдрэгчийг солих давтамжийг бууруулж, сул зогсолт, ашиглалтын зардлыг бууруулдаг.
Хэрэглээ:
MOCVD-д зориулсан Semicorex-ийн SiC ваферийн сорьцууд нь дараахь зүйлд тохиромжтой.
• Хагас дамжуулагч материалын эпитаксиаль өсөлт
• Өндөр температурт MOCVD процессууд
• GaN, AlN болон бусад нийлмэл хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл
• Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн дэвшилтэт хэрэглээ
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд:
Ашиг тус:
•Өндөр нарийвчлал: Нэг төрлийн, өндөр чанартай эпитаксийн өсөлтийг хангана.
•Урт хугацааны гүйцэтгэл: Онцгой бат бөх чанар нь солих давтамжийг бууруулдаг.
• Зардал-үр ашиг: Сул зогсолт, засвар үйлчилгээг багасгах замаар үйл ажиллагааны зардлыг багасгана.
•Олон талт байдал: Төрөл бүрийн MOCVD процессын шаардлагад нийцүүлэн тохируулах боломжтой.
