Тодорхойлолт
Манай компани нь бал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар SiC бүрэх үйл явцын үйлчилгээг үзүүлдэг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулыг гаргаж авах, SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг.
Үндсэн шинж чанарууд
1 .Өндөр цэвэршилттэй SiC бүрсэн бал чулуу
2. Дээд зэргийн халуунд тэсвэртэй, дулааны жигд байдал
3. Гөлгөр гадаргуутай болгохын тулд нарийн SiC болор бүрсэн
4. Химийн цэвэрлэгээнд тэсвэртэй
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд
| SiC-CVD шинж чанарууд | ||
| Кристал бүтэц | FCC β үе шат | |
| Нягт | г/см³ | 3.21 |
| Хатуу байдал | Викерсийн хатуулаг | 2500 |
| Үр тарианы хэмжээ | мкм | 2~10 |
| Химийн цэвэр байдал | % | 99.99995 |
| Дулааны багтаамж | Ж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимацийн температур | ℃ | 2700 |
| Уян эрхтний хүч | МПа (RT 4 оноо) | 415 |
| Young's modulus | Gpa (4pt нугалах, 1300℃) | 430 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Дулаан дамжилтын илтгэлцүүр | (Вт/мК) | 300 |
