Тодорхойлолт
Манай компани хангадагSiC бүрэхбал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар боловсруулдаг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, гадаргуу дээр хуримтлагдсан өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулуудыг олж авна.бүрсэнматериал, SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг.
SiC шүршүүрийн толгойн шинж чанарууд нь дараах байдалтай байна.
1. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: SiC материал нь зэврэлтэнд маш сайн тэсвэртэй бөгөөд янз бүрийн химийн шингэн, уусмалын элэгдэлд тэсвэртэй, янз бүрийн химийн боловсруулалт, гадаргууг боловсруулахад тохиромжтой.
2. Өндөр температурын тогтвортой байдал:SiC хушууөндөр температуртай орчинд бүтцийн тогтвортой байдлыг хадгалж чаддаг бөгөөд өндөр температурт боловсруулалт шаарддаг хэрэглээнд тохиромжтой.
3. Нэг төрлийн шүрших:SiC цоргоЭнэхүү загвар нь шүрших хяналтын сайн үзүүлэлттэй бөгөөд энэ нь шингэний жигд тархалтыг хангаж, цэвэрлэх шингэнийг зорилтот гадаргуу дээр жигд бүрхэх боломжийг олгодог.
4. Өндөр элэгдэлд тэсвэртэй: SiC материал нь өндөр хатуулаг, элэгдэлд тэсвэртэй бөгөөд урт хугацааны хэрэглээ, үрэлтийг тэсвэрлэх чадвартай.
SiC шүршүүрийн толгойнууд нь хагас дамжуулагч үйлдвэрлэл, химийн боловсруулалт, гадаргууг бүрэх, цахилгаанаар бүрэх болон бусад үйлдвэрлэлийн салбарт шингэн боловсруулах процесст өргөн хэрэглэгддэг. Энэ нь боловсруулалт, боловсруулалтын чанар, тууштай байдлыг хангахын тулд тогтвортой, жигд, найдвартай шүрших нөлөөг үзүүлж чадна.
Үндсэн шинж чанарууд
1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:
1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.
2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.
3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд
| SiC-CVD шинж чанарууд | ||
| Кристал бүтэц | FCC β үе шат | |
| Нягт | г/см³ | 3.21 |
| Хатуу байдал | Викерсийн хатуулаг | 2500 |
| Үр тарианы хэмжээ | мкм | 2~10 |
| Химийн цэвэр байдал | % | 99.99995 |
| Дулааны багтаамж | Ж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимацийн температур | ℃ | 2700 |
| Уян эрхтний хүч | МПа (RT 4 оноо) | 415 |
| Young's modulus | Gpa (4pt нугалах, 1300℃) | 430 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Дулаан дамжилтын илтгэлцүүр | (Вт/мК) | 300 |
-
Цахиурын карбидын бүрээстэй графит шингээгч...
-
41 ширхэг 4 инчийн бал чулуун суурьтай MOCVD тоног төхөөрөмж ...
-
Цахиурт суурилсан GaN эпитакси
-
Нарийвчилсан материал хайчлах, бичил тийрэлтэт лазер төхөөрөмж...
-
Эпитакси дахь доод хаалтанд зориулсан хоёрдугаар хагаст...
-
ALD Atom Layer Deposition Planetary Susceptor