GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Галлийн арсений субстрат

Товч тодорхойлолт:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd нь вафель болон дэвшилтэт хагас дамжуулагч хэрэглээний материалын чиглэлээр мэргэшсэн тэргүүлэгч нийлүүлэгч юм.Бид хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл, фотоволтайкийн үйлдвэрлэл болон бусад холбогдох салбарт өндөр чанартай, найдвартай, шинэлэг бүтээгдэхүүн нийлүүлэх зорилготой.

Манай бүтээгдэхүүний шугамд цахиурын карбид, цахиурын нитрид, хөнгөн цагаан исэл гэх мэт төрөл бүрийн материалыг багтаасан SiC/TaC бүрсэн бал чулуун бүтээгдэхүүн, керамик бүтээгдэхүүн орно.

Одоогийн байдлаар бид 99.9999% SiC бүрэх, 99.9% дахин талстжуулсан цахиурын карбидыг цэвэршүүлсэн цорын ганц үйлдвэрлэгч юм.Хамгийн их SiC бүрэх урт нь бидний хийж чадах 2640мм.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

GaAs субстратуудыг лазер (LD), хагас дамжуулагч гэрэл ялгаруулах диод (LED), ойрын хэт улаан туяаны лазер, квант худгийн өндөр хүчин чадалтай лазер, өндөр үр ашигтай нарны хавтан зэрэгт өргөн ашигладаг дамжуулагч ба хагас тусгаарлагч гэж хуваадаг.Радар, богино долгионы, миллиметрийн долгион эсвэл хэт өндөр хурдтай компьютер, оптик холболтод зориулсан HEMT ба HBT чипүүд;Утасгүй холбооны радио давтамжийн төхөөрөмж, 4G, 5G, хиймэл дагуулын холбоо, WLAN.

Сүүлийн үед галлийн арсенидын субстратууд нь мини-LED, Micro-LED, улаан LED зэрэгт ихээхэн ахиц дэвшил гаргаж, AR/VR зүүж болох төхөөрөмжүүдэд өргөн хэрэглэгдэж байна.

Диаметр 晶片直径	50мм \|75мм \|100мм \|150мм
Өсөлтийн арга 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Ваферын зузаан 厚度	350 um ~ 625 um
Баримтлал 晶向	<100> / <111> / <110> эсвэл бусад
Дамжуулагч төрөл 导电类型	P – төрөл / N – төрөл / Хагас тусгаарлагч
Төрөл/Допант 掺杂剂	Zn / Si / нэмэлтгүй
Тээвэрлэгчийн концентраци 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 см-3
RT дахь эсэргүүцэл 室温电阻率(ом•см)	SI-ийн хувьд ≥1E7
Хөдөлгөөнт байдал 迁移率(см2/В•сек)	≥4000
EPD (Этч нүхний нягтрал) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 мм
Нум / нум 翘曲度	≤ 20 мм
Гадаргуугийн өнгөлгөө 表面	DSP/SSP
Лазер тэмдэг 激光码
Зэрэг 等级	Epi өнгөлсөн зэрэг / механик зэрэг