Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт
Манай компани нь бал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар SiC бүрэх үйл явцын үйлчилгээг үзүүлдэг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулыг гаргаж авах, SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг.
Үндсэн онцлог:
1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:
1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.
2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.
3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.
1111111斯蒂芬森
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд
| SiC-CVD шинж чанарууд | ||
| Кристал бүтэц | FCC β үе шат | |
| Нягт | г/см³ | 3.21 |
| Хатуу байдал | Викерсийн хатуулаг | 2500 |
| Үр тарианы хэмжээ | мкм | 2~10 |
| Химийн цэвэр байдал | % | 99.99995 |
| Дулааны багтаамж | Ж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимацийн температур | ℃ | 2700 |
| Уян эрхтний хүч | МПа (RT 4 оноо) | 415 |
| Young's modulus | Gpa (4pt нугалах, 1300℃) | 430 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Дулаан дамжуулалтын | (Вт/мК) | 300 |
-
SiC Coatin бүхий хагас дамжуулагч эпитаксиаль реактор...
-
Эпитаксиальд зориулсан хагас дамжуулагчийн хоёр дахь хагас хэсгүүд
-
Дөрвөлжин цахиурын карбид хавтанцар завь
-
Карбид бүрсэн реактор Торхны реактор
-
Цахиурын карбидын уйлах дулааны талбайн материал...
-
Хагас эд анги Бөмбөрийн бүтээгдэхүүн Эпитаксиаль хэсэг