Тодорхойлолт
Манай компани нь бал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар SiC бүрэх үйл явцын үйлчилгээг үзүүлдэг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, бүрсэн материалын гадаргуу дээр хуримтлагдсан молекул, SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг.
Үндсэн онцлог
1. Өндөр температурын исэлдэлтийн эсэргүүцэл: 1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.
2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.
3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд
| SiC-CVD шинж чанарууд | ||
| Кристал бүтэц | FCC β үе шат | |
| Нягт | г/см³ | 3.21 |
| Хатуу байдал | Викерсийн хатуулаг | 2500 |
| Үр тарианы хэмжээ | мкм | 2~10 |
| Химийн цэвэр байдал | % | 99.99995 |
| Дулааны багтаамж | Ж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимацийн температур | ℃ | 2700 |
| Уян эрхтний хүч | МПа (RT 4 оноо) | 415 |
| Young's modulus | Gpa (4pt нугалах, 1300℃) | 430 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Дулаан дамжуулалтын | (Вт/мК) | 300 |
-
Бал чулуу халаагчийн халуун бүс/графит халуун талбай, ca...
-
ICP сийлбэр хийх процесст зориулсан SiC зүү тавиурууд ...
-
SiC Epitaxial төхөөрөмжийн хагас хэсгүүд
-
Карбид бүрсэн реактор Торхны реактор
-
Эпитаксиаль өсөлтөд зориулсан SiC бүрсэн графит баррель
-
SiC бүрсэн хагас дамжуулагч эпитаксиаль реактор ...