Онцлогууд:
Хагас дамжуулагч шинж чанартай керамикийн эсэргүүцэл нь ойролцоогоор 10-5 ~ 107ω.см бөгөөд керамик материалын хагас дамжуулагч шинж чанарыг допинг хийх эсвэл стехиометрийн хазайлтаас үүссэн торны согог үүсгэх замаар олж авч болно.Энэ аргыг ашигласан керамик нь TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 болон SiC.Хагас дамжуулагч керамикийн ялгаатай шинж чанарууд нь тэдгээрийн цахилгаан дамжуулах чанар нь хүрээлэн буй орчны нөлөөгөөр өөрчлөгддөг тул янз бүрийн төрлийн керамик мэдрэмтгий төхөөрөмжүүдийг хийхэд ашиглаж болно.
Халуунд мэдрэмтгий, хий мэдрэмтгий, чийгэнд мэдрэмтгий, даралт мэдрэмтгий, гэрэл мэдрэмтгий болон бусад мэдрэгчүүд.Fe3O4 гэх мэт хагас дамжуулагч шпинель материалыг MgAl2O4 гэх мэт дамжуулагч бус шпинель материалуудтай хяналттай хатуу уусмалд хольдог.
MgCr2O4, Zr2TiO4 нь термистор болгон ашиглаж болох бөгөөд энэ нь температураас хамааран өөр өөр байдаг эсэргүүцлийн төхөөрөмж юм.ZnO-ийг Bi, Mn, Co, Cr зэрэг исэлдүүлэн нэмж өөрчилж болно.
Эдгээр исэлүүдийн ихэнх нь ZnO-д хатуу уусдаггүй, харин мөхлөгийн хил дээр хазайж, саадтай давхарга үүсгэдэг тул ZnO варисторын керамик материалыг олж авдаг бөгөөд варисторын керамикийн хамгийн сайн үзүүлэлттэй материал юм.
SiC допинг (хүний нүүрстөрөгчийн хар, бал чулуу нунтаг гэх мэт) нь янз бүрийн эсэргүүцэлтэй халаалтын элемент, өөрөөр хэлбэл өндөр температурт цахилгаан зууханд цахиурын нүүрстөрөгчийн саваа болгон ашигладаг өндөр температурт тогтвортой хагас дамжуулагч материалыг бэлтгэх боломжтой.Хүссэн бараг бүх зүйлд хүрэхийн тулд SiC-ийн эсэргүүцэл ба хөндлөн огтлолыг хянах
Ашиглалтын нөхцөл (1500 ° C хүртэл), түүний эсэргүүцлийг нэмэгдүүлэх, халаалтын элементийн хөндлөн огтлолыг багасгах нь үүссэн дулааныг нэмэгдүүлнэ.Агаарт цахиурын нүүрстөрөгчийн саваа исэлдэх урвал явагдах бөгөөд температурыг ашиглах нь ерөнхийдөө 1600 ° C-аас доош, энгийн төрлийн цахиурын нүүрстөрөгчийн саваагаар хязгаарлагддаг.
Аюулгүй ажиллагааны температур нь 1350 ° C байна.SiC-д Si атом нь N атомаар солигддог, учир нь N нь илүү олон электронтой, илүүдэл электронууд байдаг, түүний энергийн түвшин доод дамжуулалтын зурваст ойрхон, дамжуулалтын зурваст өргөхөд хялбар байдаг тул энэ энергийн төлөв байдал Мөн донорын түвшин гэж нэрлэдэг, энэ хагас
Дамжуулагч нь N хэлбэрийн хагас дамжуулагч эсвэл электрон дамжуулагч хагас дамжуулагч юм.SiC-д Si атомыг орлуулахын тулд Al атомыг ашигладаг бол электрон байхгүйгээс үүссэн материаллаг энергийн төлөв нь дээрх валентийн электрон зурваст ойрхон, электрон хүлээн авахад хялбар байдаг тул хүлээн авагч гэж нэрлэдэг.
Сул байрлал нь эерэг цэнэг зөөгчтэй адил үйлчилдэг тул валентын зурваст электрон дамжуулж болох хоосон байрлалыг үлдээдэг энергийн гол түвшинг P хэлбэрийн хагас дамжуулагч буюу нүхний хагас дамжуулагч гэж нэрлэдэг (H. Sarman, 1989).
Шуудангийн цаг: 2023 оны 9-р сарын 02-ны өдөр