SiC бүрсэн бал чулуун суурь

-ийн үндсэн бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн нэг болохMOCVD төхөөрөмж, бал чулууны суурь нь субстратын зөөвөрлөгч, халаагч бие бөгөөд хальсны материалын жигд байдал, цэвэр байдлыг шууд тодорхойлдог тул түүний чанар нь эпитаксиаль хавтанг бэлтгэхэд шууд нөлөөлдөг бөгөөд үүний зэрэгцээ тоо нэмэгдэх тусам ашиглалт, ажлын нөхцлийн өөрчлөлт нь хэрэглээний материалд хамаарах өмсөхөд маш хялбар байдаг.

Бал чулуу нь маш сайн дулаан дамжуулалт, тогтвортой байдлын шинж чанартай боловч үндсэн бүрэлдэхүүн хэсэг болох сайн талтайMOCVD төхөөрөмж, гэхдээ үйлдвэрлэлийн явцад бал чулуу нь идэмхий хий болон металл органик бодисын үлдэгдэлээс болж нунтаг зэврүүлж, бал чулууны суурийн ашиглалтын хугацаа ихээхэн багасна.Үүний зэрэгцээ унаж буй бал чулууны нунтаг нь чипийг бохирдуулах болно.

Бүрхүүлгийн технологи гарч ирснээр гадаргуугийн нунтаг бэхэлгээг хангах, дулаан дамжуулалтыг нэмэгдүүлэх, дулааны хуваарилалтыг тэнцүүлэх боломжтой бөгөөд энэ асуудлыг шийдвэрлэх гол технологи болсон.Графит суурьMOCVD төхөөрөмжашиглах орчин, графит суурь гадаргуугийн бүрээс нь дараах шинж чанаруудыг хангасан байх ёстой.

(1) Бал чулуун суурь нь бүрэн ороож болох ба нягт нь сайн, эс тэгвээс бал чулуун суурь нь идэмхий хийд амархан зэврэгддэг.

(2) Хэд хэдэн өндөр, бага температурын мөчлөгийн дараа бүрэх нь амархан унахгүй байхын тулд бал чулууны суурьтай хослуулсан бат бөх чанар өндөр байдаг.

(3) Өндөр температур, идэмхий уур амьсгалд бүрэх эвдрэлээс зайлсхийхийн тулд химийн тогтвортой байдал сайтай.

SiC нь зэврэлтэнд тэсвэртэй, өндөр дулаан дамжуулалт, дулааны цохилтод тэсвэртэй, химийн өндөр тогтвортой байдал зэрэг давуу талтай бөгөөд GaN эпитаксиаль орчинд сайн ажиллах чадвартай.Үүнээс гадна SiC-ийн дулааны тэлэлтийн коэффициент нь бал чулуунаас маш бага ялгаатай тул бал чулууны суурийн гадаргууг бүрэх хамгийн тохиромжтой материал нь SiC юм.

Одоогийн байдлаар нийтлэг SiC нь голчлон 3C, 4H, 6H төрөл бөгөөд өөр өөр төрлийн талстуудын SiC-ийн хэрэглээ өөр өөр байдаг.Жишээлбэл, 4H-SiC нь өндөр хүчин чадалтай төхөөрөмж үйлдвэрлэх боломжтой;6H-SiC нь хамгийн тогтвортой бөгөөд фотоэлектрик төхөөрөмж үйлдвэрлэх боломжтой;GaN-тай төстэй бүтэцтэй тул 3C-SiC нь GaN эпитаксиаль давхаргыг үйлдвэрлэх, SiC-GaN RF төхөөрөмж үйлдвэрлэхэд ашиглаж болно.3C-SiC-ийг ихэвчлэн нэрлэдэгβ-SiC, мөн чухал хэрэглээβ-SiC нь хальс, бүрэх материалын хувьд иймβ-Одоогоор SiC нь бүрэх үндсэн материал болж байна.