Хагас дамжуулагч цахиурын карбид (SiC) хавтан нь сүүлийн жилүүдэд аажмаар гарч ирсэн энэхүү шинэ материал нь физик, химийн өвөрмөц шинж чанараараа хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд шинэ эрч хүч нэмсэн.Түүхий эд болгон монокристаллуудыг ашигладаг SiC вафель нь химийн уурын хуримтлалаар (CVD) нямбай ургадаг бөгөөд гадаад төрх нь өндөр температур, өндөр давтамж, өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмж үйлдвэрлэх боломжийг олгодог.
Эрчим хүчний электроникийн салбарт SiC хавтангуудыг өндөр үр ашигтай цахилгаан хувиргагч, цэнэглэгч, цахилгаан хангамж болон бусад бүтээгдэхүүн үйлдвэрлэхэд ашигладаг.Харилцаа холбооны салбарт өндөр давтамжийн болон өндөр хурдны радио долгионы төхөөрөмж, оптоэлектроник төхөөрөмжийг үйлдвэрлэхэд ашигладаг бөгөөд мэдээллийн эрин үеийн хурдны замын тулгын чулууг тавьдаг.Автомашины электроникийн салбарт SiC хавтан нь жолоочийн жолоодлогын аюулгүй байдлыг хангах өндөр хүчдэлийн өндөр найдвартай автомашины электрон төхөөрөмжийг бүтээдэг.
Технологийн тасралтгүй дэвшлийг дагаад SiC хавтан үйлдвэрлэх технологи улам боловсронгуй болж, үнэ нь аажмаар буурч байна.Энэхүү шинэ материал нь төхөөрөмжийн гүйцэтгэлийг сайжруулах, эрчим хүчний хэрэглээг багасгах, бүтээгдэхүүний өрсөлдөх чадварыг нэмэгдүүлэх асар их боломжийг харуулж байна.Цаашид SiC хавтан нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд илүү чухал үүрэг гүйцэтгэж, бидний амьдралд илүү тав тухтай, аюулгүй байдлыг авчрах болно.
Шинжлэх ухаан, технологийн дэвшлийн ирээдүйн талаар илүү гайхалтай бүлгийг дүрслэхийн тулд энэхүү тод хагас дамжуулагч од болох SiC өрлөгийг тэсэн ядан хүлээцгээе.
Шуудангийн цаг: 2023 оны 11-р сарын 27