Тодорхойлолт
Манай компани хангадагSiC бүрэхграфит, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар боловсруулалт хийж, нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр хуримтлагдсан өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулуудыг гаргаж авах.SIC хамгаалалтын давхарга.
Үндсэн онцлог
1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:
1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.
2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.
3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.
4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.
CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд
| SiC-CVD шинж чанарууд | ||
| Кристал бүтэц | FCC β үе шат | |
| Нягт | г/см³ | 3.21 |
| Хатуу байдал | Викерсийн хатуулаг | 2500 |
| Үр тарианы хэмжээ | мкм | 2~10 |
| Химийн цэвэр байдал | % | 99.99995 |
| Дулааны багтаамж | Ж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимацийн температур | ℃ | 2700 |
| Уян эрхтний хүч | МПа (RT 4 оноо) | 415 |
| Young's modulus | Gpa (4pt нугалах, 1300℃) | 430 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Дулаан дамжуулалтын | (Вт/мК) | 300 |
-
Цахиурын карбидаар бүрсэн баррель мэдрэгч
-
MOCVD-д зориулсан урт хугацааны SIC бүрсэн графит халаагч ...
-
Сүвэрхэг тантал карбид, халуун талбайн материал ...
-
36 ширхэг 4 инчийн бал чулуун суурьтай MOCVD тоног төхөөрөмж...
-
Цахиурын карбидын бүрээстэй графит шингээгч...
-
Цахиурын карбид бүрсэн эпитаксиаль реакторын торх