MOCVD-д зориулсан SiC бүрсэн графит суурьтай сусцепторууд

SiC бүрсэн графит суурьтай сусцепторуудSemicera-ийн MOCVD нь эпитаксиаль өсөлтийн процесст онцгой гүйцэтгэлийг хангахаар бүтээгдсэн. Бал чулуун суурь дээр өндөр чанартай цахиур карбидын бүрээс нь MOCVD (метал органик химийн уурын хуримтлал) үйл ажиллагааны явцад тогтвортой, бат бөх, оновчтой дулаан дамжуулалтыг баталгаажуулдаг. Semicera-ийн шинэлэг мэдрэгчтэй технологийг ашигласнаар та өндөр нарийвчлал, үр ашигтай байдалд хүрч чаднаЭпитаксиболонSiC эпитаксипрограмууд.

ЭдгээрMOCVD-ийн мэдрэгчүүдзэрэг чухал хагас дамжуулагч бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг дэмжих зориулалттайPSS Etching Carrier, ICP сийлбэр зөөгч, баRTP тээвэрлэгч, тэдгээрийг янз бүрийн сийлбэр болон эпитаксийн ажилд олон талт болгодог. Semicera-ийн өндөр стандартыг тууштай баримталж байгаа нь эдгээр мэдрэгч нь орчин үеийн хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн хатуу шаардлагыг хангаж байгааг баталгаажуулдаг.

-д хэрэглэхэд нэн тохиромжтойLED эпитаксиалSusceptor, Barrel Susceptor, Monocrystalline Silicon процессууд нь эдгээр мэдрэгчийг янз бүрийн хэмжээтэй, тэр дундаа Хуушуурын шингээгчийн тохиргоонд тохируулан өөрчилж болно. Эдгээр нь фотоволтайк эд ангиудыг боловсруулахад өндөр үр дүнтэй байдаг бөгөөд тэдгээрийг үр ашигтай нарны зайг хөгжүүлэхэд чухал бүрэлдэхүүн хэсэг болгодог.

Нэмж дурдахад, MOCVD-д зориулсан SiC бүрсэн графит суурьтай шингээгч нь SiC Epitaxy дээрх GaN-ийг оновчтой болгож, дэвшилтэт хагас дамжуулагч материалтай өндөр нийцтэй байдлыг санал болгодог. Та ургацыг сайжруулах эсвэл эпитаксиаль өсөлтийн чанарыг сайжруулахад анхаарлаа төвлөрүүлж байгаа эсэхээс үл хамааран semicera-ийн мэдрэгч нь өндөр технологийн салбарт амжилтанд хүрэх найдвартай байдал, гүйцэтгэлийг хангадаг.