Цахиурт суурилсан GaN эпитакси

Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт

Манай компани хангадагSiC бүрэхграфит, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар боловсруулалт хийж, нүүрстөрөгч, цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, бүрсэн материалын гадаргуу дээр хуримтлагдсан өндөр цэвэршилттэй SiC молекул, молекулуудыг гаргаж авах.SIC хамгаалалтын давхарга.

Үндсэн онцлог:

1. Өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл:

1600 С хүртэл өндөр температурт исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.

2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулах нөхцөлд химийн уурын хуримтлалаар хийгдсэн.

3. Элэгдлийн эсэргүүцэл: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.

4. Зэврэлтэнд тэсвэртэй: хүчил, шүлт, давс, органик урвалж.