ХагасЦахиурын карбидын керамик бүрээснь маш хатуу, элэгдэлд тэсвэртэй цахиур карбид (SiC) материалаар хийгдсэн өндөр хүчин чадалтай хамгаалалтын бүрхүүл юм. Бүрхүүл нь ихэвчлэн CVD эсвэл PVD процессоор субстратын гадаргуу дээр хуримтлагддагцахиурын карбидын хэсгүүд, химийн зэврэлтэнд маш сайн тэсвэртэй, өндөр температурт тогтвортой байдлыг хангадаг. Тиймээс цахиурын карбидын керамик бүрээсийг хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн тоног төхөөрөмжийн гол бүрэлдэхүүн хэсгүүдэд өргөн ашигладаг.
Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд,SiC бүрэх1600 ° C хүртэл маш өндөр температурыг тэсвэрлэх чадвартай тул цахиурын карбидын керамик бүрээсийг ихэвчлэн өндөр температурт эсвэл идэмхий орчинд гэмтэхээс сэргийлэхийн тулд тоног төхөөрөмж, багаж хэрэгслийг хамгаалах давхарга болгон ашигладаг.
Үүний зэрэгцээ,цахиурын карбидын керамик бүрээсхүчил, шүлт, исэл болон бусад химийн урвалжуудын элэгдэлд тэсвэртэй, янз бүрийн химийн бодисуудад зэврэлтэнд тэсвэртэй. Тиймээс энэ бүтээгдэхүүн нь хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн янз бүрийн идэмхий орчинд тохиромжтой.
Үүнээс гадна бусад керамик материалуудтай харьцуулахад SiC нь илүү өндөр дулаан дамжуулалттай бөгөөд дулааныг үр дүнтэй дамжуулж чаддаг. Энэ шинж чанар нь температурыг нарийн хянах шаардлагатай хагас дамжуулагч процесст өндөр дулаан дамжуулалттай байхыг тодорхойлдогЦахиурын карбидын керамик бүрээсдулааныг жигд тарааж, орон нутгийн хэт халалтаас сэргийлж, төхөөрөмжийг оновчтой температурт ажиллуулахад тусалдаг.
| CVD sic бүрхүүлийн үндсэн физик шинж чанарууд | |
| Өмч | Ердийн үнэ цэнэ |
| Кристал бүтэц | FCC β фазын поликристалл, голчлон (111) чиглэсэн |
| Нягт | 3.21 г/см³ |
| Хатуу байдал | 2500 Викерсийн хатуулаг (500 гр ачаалал) |
| Үр тарианы хэмжээ | 2 ~ 10 мкм |
| Химийн цэвэр байдал | 99.99995% |
| Дулааны багтаамж | 640 Жкг-1· К-1 |
| Сублимацийн температур | 2700℃ |
| Гулзайлтын хүч | 415 МПа RT 4 цэг |
| Young's modulus | 430 Gpa 4pt нугалах, 1300℃ |
| Дулаан дамжуулалт | 300W·m-1· К-1 |
| Дулааны тэлэлт (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
